晶盛机电获51家机构调研：公司蓝宝石材料业务取得了全球范围内的技术和规模双领先已实现750kg、1000kg晶锭及4-6英寸衬底的规模化量产并研发出8-12英寸蓝宝石衬底（附调研问答）

　　晶盛机电300316）9月29日发布投资者关系活动记录表，公司于2025年9月28日接受51家机构调研，机构类型为保险公司、其他、基金公司、证券公司、阳光私募机构。 投资者关系活动主要内容介绍：

　　答：9月26日，公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，子公司浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线%国产化，标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进，迈入高效智造新阶段。未来，公司将加速推进产线的量产进程，为客户提供高质量、低成本的大尺寸碳化硅衬底，携手产业链伙伴，共同推动我国第三代半导体产业蓬勃发展。

　　答：子公司浙江晶瑞SuperSiC此次贯通的中试线，覆盖了晶体加工，切割，减薄，倒角，研磨，抛光，清洗，检测的全流程工艺，所有环节均采用国产设备与自主技术，高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机等核心加工设备更是由公司历时多年自研攻关完成，性能指标达到行业领先水平。自此，晶盛机电正式形成了12英寸SiC衬底从装备到材料的完整闭环，彻底解决了关键装备“卡脖子”风险，为下游产业提供了成本与效率的新基准。

　　答：相较于8英寸产品，12英寸产品单片晶圆芯片产出量增加约2.5倍，能够在大规模生产中显著减少长晶、加工、抛光等环节的单位成本，是大幅降低下游应用成本的关键路径。

　　答：公司积极布局碳化硅产能，在上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目；并基于全球碳化硅产业的良好发展前景和广阔市场，在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目，进一步强化公司在全球市场的供应能力；同时，在银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目，不断强化公司在碳化硅衬底材料领域的技术和规模优势。

　　答：SiC是第三代半导体材料的核心代表，因其耐高压、高频、高效等特性，广泛应用于新能源汽车、智能电网、5G通信等重点行业。同时，在AR设备、CoWoS先进封装中间基板等新兴应用领域，SiC也正逐步成为推动技术突破的关键材料。

　　答：在半导体衬底材料领域，公司拥有碳化硅衬底材料、蓝宝石衬底材料及培育金刚石的规模化产能。公司蓝宝石材料业务取得了全球范围内的技术和规模双领先，已实现750kg、1000kg晶锭及4-6英寸衬底的规模化量产，并研发出8-12英寸蓝宝石衬底；公司自研的8-12英寸蓝宝石晶片具有高硬度、高透光、耐高温和耐腐蚀等优异特性，与GaN优异的晶体匹配性，使其可作为低缺陷GaN光电以及功率器件的衬底。

　　答：在半导体集成电路装备领域，公司实现半导体8-12英寸大硅片设备的国产化，并延伸拓展至芯片制造和先进封装领域。在化合物半导体装备领域，公司聚焦第三代半导体碳化硅装备研发，在晶体生长、加工、外延等环节成功突破多项核心技术。在新能源光伏装备领域，公司实现了硅片、电池片及组件环节核心设备的产业链闭环，是技术、规模双领先的光伏设备供应商。

　　答：在硅片制造端，公司实现了8-12英寸半导体大硅片设备的国产替代，开发出了包括全自动晶体生长设备（直拉单晶生长炉、区熔单晶炉）、晶体加工设备（单晶硅滚圆机、截断机、金刚线切片机等）、晶片加工设备（晶片倒角机、研磨机、减薄机、抛光机）以及外延设备和清洗设备，且均已实现批量销售，其中长晶设备在国产设备市场市占率领先。公司大硅片设备客户包括中环领先、上海新昇、奕斯伟、有研硅、合晶科技、金瑞泓等头部半导体材料制造企业。在芯片制造和封装端,公司开发了应用于芯片制造的8-12英寸减压外延设备、ALD设备等薄膜沉积类设备,应用于先进封装的12英寸减薄抛光机、12英寸减薄抛光清洗一体机、超快紫外激光开槽设备。以差异化的工艺和技术优势,为客户提供优质的产品和服务;